Samsung
Najnapredniji 20 nm 4Gb DDR3 u masovnoj proizvodnji
Samsung je danas objavio kako je pokrenuo masovnu proizvodnju 4-gigabitnog DDR3 DRAM-a u 20 nm tehnologiji.
Mada Toshiba već koristi 19 nm tehnologiju izrade, njihovi proizvodi se odnose na NAND Flash čipove, a ne DRAM.
Obzirom da nitko drugi još nije ponudio sličnu tehnologiju najviše razine, Samsung je prilično opravdano proglasio svoj novi 4 Gb DDR3 DRAM najnaprednijim na svijetu.
Danas iz Samsunga stiže priopćenje da je upravo započela masovna proizvodnja njihove DDR3 memorije koja se temelji na 20 nanometarskoj tehnologiji proizvodnje.
Tehnološki gledano, izrada DRAM-a je teža nego izrada NAND-a, jer svaka ćelija posjeduje kondenzator i tranzistor koji su spojeni jedan na drugog, dok NAND posjeduje samo tranzistor.
Novi 4 Gb DDR3 čipovi sadrže modificiranu "double patterning" tehnologiju, kao i ultratanke dielektrične slojeve kondenzatorskih ćelija, što omogućuje znatno veće performanse ćelija.
Samsung navodi kako je za izradu ovog DRAM-a koristio fotolitografsku opremu uz čiju pomoć je postavio temelje za izradu iduće generacije 10 nm DRAM-a.
Novi 20 nm 4 Gb DDR3 ujedno je i 25% energetski učinkovitiji u odnosu na 25nm.
Novi Samsungovi 4 Gb DDR3 čipovi uskoro će se naći u raznim uređajima i modulima, od pametnih telefona, tableta, DIMM-ova, SO-DIMM-ova i drugim modulima.
Vrlo je vjerojatno da će neki proizvođač high-end memorije uskoro predstaviti novi DIMM opremljen Samsungovim novim DDR3 DRAM-om namijenjen gaming liniji proizvoda ili nekoj sličnoj.
Izvor: Samsung
Pogledajte gdje su sve vlasnici developerske inačice narukvice za gestualno upravljanje našli primjenu.
MSI je na CeBIT donio prijenosnik MSI GS60 Ghost Pro s novom Nvidijinim grafikom.
Učitavam komentare ...