Japanski NAND-ReRAM 11 puta brži od SSD-a

Kombinirajući NAND Flash i ReRam, znanstvenici japanskog sveučilišta Chuo dobili su "čarobnu jedinicu", koja troši 93 posto manje struje i traje 6,9 puta dulje od klasičnih NAND proizvoda.

Ako stavimo na stranu visoku cijenu ReRAMa, ova tehnologija bi mogla vrlo uspješno zamijeniti SSD diskove u data centrima, te potom napraviti prodor i ka malim komercijalnim sustavima, pa bismo je jednog dana mogli vidjeti i u našim računalima.

ReRAM (resistive random-access memory) omogućuje visoke brzine zapisivanja, dok NAND flash memorija daje visoki kapacitet pohrane, što u kombinaciji rezultira takvim značajnim poboljšanjima, no valja navesti kako su za takvu radnu efikasnost najzaslužnija tri algoritma koji upravljaju zapisom podataka. Najvažniji među njima je AF (antifragment) algoritam koji zapisuje male količine podataka na sektore ReRAMa. Kada se pohrani jedna stranica podataka, ona se zapisuje u NAND flash memoriju, što rezultira reduciranom frekvencijom random pristupa NAND flash memoriji.

Znanstvenici su proizveli SSD koji kombinira 256 GB NAND flash memoriju i nekih 8 Gigabita ReRAMa, koji koriste zajednički cashe i pohranu memorije. Zbog činjenice da ReRAM omogućuje high-speed random pristup, moguće je unaprijediti performanse SSD-a i smanjiti potrošnju energije, a to također drastično povećava duljinu života proizvoda korištenjem ReRAMa za višekratno zapisivanje malih podataka.

Kada su znanstvenici proizveli prototip kontrolera koji upravlja ovim procesorima i testirali ga na emulatoru, dobili su potvrdu da su performanse zapisivanja podataka SSD-a, potrošnja struje i životni vijek unaprijeđeni čak 11 puta.

Kontroler, ReRAM i NAND flash memorija su bili trodimenzionalno spojeni TSV-om (through silicon via), no znanstvenici kažu kako je moguće postići skoro identične rezultate i bez TSV-a.